Сушинський О. Є. Розроблення елементів електронної техніки на основі модифікованих активними нанорозмірними домішками холестеричних рідких кристалів

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0515U000514

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.01 - Твердотільна електроніка

21-05-2015

Спеціалізована вчена рада

Д 35.052.13

Національний університет "Львівська політехніка"

Анотація

Дисертація присвячена проблемі розроблення елементів електронної техніки на основі модифікованих активними нанорозмірними домішками холестеричних рідких кристалів. У роботі проведено дослідження спектральних, нелінійних та електрооптичних властивостей як власних, так і індукованих холестеричних рідких кристалів, модифікованих нанорозмірними частинками. Встановлено закономірності в зміні кроку надмолекулярної спіральної структури внаслідок модифікування НРЧ в залежності від механізму індукування спіральної структури ХРК матриці. Проведено дослідження процесу інтеркаляції нанокомпозитів на основі ХРК, модифікованих НРЧ, в пористі матеріали, а саме, полістирен, оксиди алюмінію та кремнію. Виявлено закономірності впливу молекул газів на зміну спектральних характеристик синтезованих нанокомпозитів. Виявлено двоетапний процес зміни спектра оптичного пропускання в нанокомпозитах на основі ХРК, модифікованого НРЧ. Проведено дослідження нелінійного явища в золотих нанострижнях з використанням z-методики та низькоінтенсивного лазерного випромінювання He-Ne лазера. Розроблено ряд структур елементів електронної техніки. Створено структури первинних перетворювачів оптичних сенсорів газу, в основу роботи яких покладено зміну кроку надмолекулярної спіральної структури під дією молекул газу на активні нанорозмірні частинки. Отримано нові твердотільні структури первинних перетворювачів для сенсорів газу методом інтеркаляції молекул ХРК, модифікованого НРЧ, в пористі матеріали (полістирен, оксид алюмінію та кремнію). Розроблено структури активних елементів РЗЗ-лазерів на ХРК, модифікованих НРЧ, що дало змогу збільшити спектральну густину фотонних станів у цих структурах та зменшити поріг і досягнути перестроювання довжини хвилі лазерної генерації. Запропоновано структуру активного кольорового піксельного елемента рідкокристалічного дисплея з накачуванням органічним світлодіодом.

Файли

Схожі дисертації