Снопок Б. А. Фізико-технологічні принципи побудови біохімічних сенсорів і систем аналізу складних багатокомпонентних середовищ

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0516U000498

Облікова картка дисертації

0516U000498.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.01 - Фізика приладів, елементів і систем

18-05-2016

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.01

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

Досліджено основоположні фізичні закономірності перебігу процесів на межі розділу багатокомпонентне хімічне середовище - неоднорідна поверхня (БХС-НП) та розроблено спосіб їх формалізації у формі, придатній для практичної реалізації концепції динамічних методів аналізу (КДМА) БХС з використанням біохімічних сенсорних систем (БСС) поверхневого типу. Встановлено, що відгук БСС є результатом самоорганізації розподільної нелінійної системи відкритого типу на межі розділу фаз; еволюція відгуку відбувається згідно функції розтягнутої експоненти. Запропоновано та обґрунтовано методи оптимізації БСС в динамічному режимі. Ефективність КДМА БХС в аналітичній (біо)хімії доведена на прикладі вирішення важливих практичних завдань з використанням розроблених прототипів пристроїв.

Читати повністю

Файли

Dissertation Sc Dr Snopok_BA high quaility.pdf

Snopok_BA Avtoreferat Sc Dr color.pdf

Схожі дисертації

0421U103746

Шутилєва Ольга Вікторівна

Фазовий склад та магніторезистивні і магнітні властивості приладових структур на основі Ni і Со та Dy або Ві

0421U103438

Ополонін Олександр Дмитрович

Принципи характеризації матеріалів за ефективним атомним номером при радіографічному контролі

0521U101782

Цибрій Зіновія Федорівна

Фізико-технологічні основи розроблення HgCdTe-приймачів ІЧ та ТГц діапазонів і елементів блокування ІЧ випромінювання

0521U101665

Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна

Оптоелектронні властивості низьковимірних структур на основі вузькощілинних напівпровідників в ІЧ і ТГц діапазонах спектру

0421U102655

Єгоров Вадим Анатолійович

Підвищення метрологічних та експлуатаційних характеристик елементів та систем атомно-емісійного спектрального аналізу