Вістовський В. В. Релаксація та міграція електронних збуджень у сцинтиляційних матеріалах за умови просторового обмеження

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0517U000821

Облікова картка дисертації

0517U000821.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

15-11-2017

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Робота присвячена розробці нових люмінесцентних і сцинтиляційних матеріалів на основі використання властивостей мікро- та наночастинок. Метою дослідження є з'ясування особливостей процесів випромінювальної релаксації енергії збудження у наночастинках, що мають різні види люмінесценції, та у системах із вкрапленими мікрокристалами. Робота містить результати досліджень фазоутворення та люмінесцентно-кінетичних властивостей сцинтиляційних мікрокристалів, вкраплених у лужно-галоїдні матриці та досліджень процесів релаксації високоенергетичного збудження в наночастинках різної природи, що мають екситонну, остовно-валентну та домішкову люмінесценцію.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.pdf

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах