Галян В. В. Випромінювання світла в халькогенідних монокристалах систем Ga–In(La)–S та склоподібних сплавах утворених бінарними халькогенідами Ag2S(Se), HgS, Ga(La)2S(Se)3, GeS2 легованих ербієм

Дисертація присвячена вивченню закономірностей впливу компонентного складу, дефектоутворення, -опромінення, температури на процеси поглинання, механізми випромінювання у халькогенідних монокристалах і склоподібних сплавах легованих ербієм. Проаналізовано вплив модифікуючих та легуючих домішок на оптичні властивості халькогенідів. Встановлено механізми збудження, випромінювальної / безвипромінювальної релаксації випромінюючих центрів та досліджено нелінійно-оптичні властивості у халькогенідних склоподібних сплавах. На основі моделі енергетичних рівнів в іонах Er3+ проілюстровано шляхи переходу іонів Er3+ у збуджені стани та виникнення ФЛ внаслідок безвипромінювальної релаксації зі збудженого стану вищої енергії або / та кросрелаксаційних процесів між сусідніми іонами ербію. Виявлено високу чутливість ФЛ випромінювання до температурних змін в халькогенідних стеклах та радіаційну стійкість щодо -опромінення в монокристалічних халькогенідах. Встановлено, що радіаційно-індуковані дефекти в склоподібних сплавах Er2S3–Ag0,05Ga0,05Ge0,95S2 впливають на ФЛ властивості, обумовлюють зміну механізму виникнення збуджених станів та випромінювальну релаксацію в іонах Er3+. Експериментальні результати ЕПР досліджень та їх теоретичний аналіз свідчить, що зміна концентрації парамагнітних центрів від часу відпалу обумовлена рухом вакансій та релаксацією склоутворюючої матриці. Доведено, що в досліджених склоподібих сплавах γ-індукованими парамагнітними центрами є Ga-VS.