Трефілова Л. М. Закономірності радіаційного утворення короткоживучих центрів забарвлення і люмінесценції в сцинтиляційних кристалах на основі СsI.

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0521U101674

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

12-05-2021

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів Національної академіі наук України

Анотація

Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків.– Інститут монокристалів НАН України, Харків, 2021. Використовуючи методи люмінесцентної та абсорбційної спектроскопії з високим часовим розділенням в дисертації досліджені механізми формування імпульсів люмінесценції при збудженні кристалів CsI(A) (A ≡ Tl+, Na+, CO32–) імпульсними пучками прискорених електронів і лазерного випромінювання нано- та фемтосекундної тривалості. Побудована концепція про найважливішу роль у люмінесцентному процесі донорно-акцепторних диполів [Tl0Vk], [Na0Vk] и [F,CO3–], відповідно. Показано, що спектрально-кінетичні властивості активаторної люмінесценції визначаються специфікою розпаду диполів з утворенням двох типів екситонів локалізованих біля активатора, що відрізняються положенням двогалоїдного діркового ядра по відношенню до катіон-заміщуючого (Tl+ або Na+) або аніон-заміщуючого (CO32–) иона активатора. Розширені уявлення про механізм формування випромінюючих станів локалізованих екситонів в активованих кристалах CsI. Ключові слова: кристал йодиду цезію, активаторна люмінесценція, кінетика загасання, двогалоїдний экситон.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах