Томашик В. Н. Взаимодействие полупроводниковых соединений типа AII BVI с активной средой

Объект исследования: Полупроводниковые соединения типа AIIBIV. Цель исследования: Разработка научных основ проведение физико-химических исследований на границе раздела полупроводник- активная среда на примере взаимодействия соединений типа AIIBVI с твердыми и жидкими веществами. Методы исследования и аппаратура: Физико-химический анализ; математическое планирование эксперимента; изучение кинетики растворения с помощью вращающегося диска; компьютерное моделирование процессов пищеварения; оже-электронная и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия; радиоизотопный анализ поверхности. Теоретические результаты и новизна: развитие нового направления в полупроводниковом материаловедении; создание научных основ физико-химических исследований на границе раздела полупроводник-активная среда на примере взаимодействие халькогенидов цинка, кадмия и ртути с жидкими и твердыми веществами. Практические результаты и новизна: Методом математического планирования эксперимента оптимизирован состав 20 травителей для обработки телуридных полупроводниковых материалов. Предложен новый класс травителей. Предмет и степень внедрения: Разработанные способы бездефектной обработки и составы травителей используются в лабораториях института полупроводников и на НПО "Орион". Сфера (область) использования: Технология полупроводниковых материалов, полупроводниковая микроэлектроника, химия и физика полупроводников.