Зарицкий И. М. ЭПР, спиновая релаксация и нерезонансные и микроволновые эффекты в диэлелектриках, полупроводниках и высокотемпературных полупроводниках

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0593U000117

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-02-1993

Спеціалізована вчена рада

Д 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Полупроводники (кристаллические и аморфные), диэлектрики, медь-содержащие высокотемпературные полупроводники. Цель исследования: Развитие метода ЭПР, спин-релаксационных излучений и нерезонансной микроволновой спектроскопии для исследования важных в научном и техническом отношениях материалов и решение фундаментальных и прикладных проблем. Методы исследования и аппаратура: Электронный парамагнитный резонанс, импульсное и непрерывное насыщение линий ЭПР, микроволновая спектроскопия во внушнем магнитном поле; супергетеродинный спектрометр-релаксометр ЭПР, доработанный средний радиоспектрометр СЕ/Х-2544. Теоретические результаты и новизна: Развиты новые представления о ян-телеровские центры в кристаллах, проявлений обменного взаимодействия доноров в полупроводниках (кристаллических и аморфных), парамагнетизм меди в ВТНП. Предложены новые механизмы спиновой релаксации, открыты новые пороговые (по содержанию магния) явления в LiNbO3, многокомпонентность ноль-полевого сигнала в ВТНП. Практические результаты и новизна: Разработаны основы микроволновой диагностики полупроводников во внешнем магнитном поле, выявлен способ повышения радиационной стойкости ниобата лития, предложен способ создания сверхпроводниковых областей в сегнетоэлектрическом материале, определение количества алмазов в алмазосодержащих материалах и качественного состава феромагнитных добавок в диэлек. Сфера (область) использования: Полупроводниковое материаловедение, рациональная мощность материалов, радиоспектроскопия твердого тела, высокотемпературная всерхпроводимость (физика и технология), технология полупроводников.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах