Ясковец И. И. Проблемы теории электронных свойств облученных кристаллических и стеклоподобных полупроводников

Объект исследования: Кристаллические ковалентные полупроводники, халькогенидные стеклоподобные полупроводники. Цель исследования: Раскрытие основных закономерностей стимулированных облучением в кристаллических полупроводниках как совокупности квазихимических реакций; изучение кинетических явлений в неоднородных полупроводниках; исследование проблемы состояний в щели по подвижности стеклоподобных полупроводников; построение основ теории дефектообразования в стеклоподобных полупроводниках. Методы исследования и аппаратура: Аналитические методы теории кинетических явлений в полупроводниках, теории автолокализации носителей заряда. Теоретические результаты и новизна: Представлена теория реакций между точечными дефектами с учетом пространственной корреляции между вакансиями и междуузловыми атомами; теория явлений электронного перноса в полупроводниках с крупномасштабными дефектами; теория автолокализованных состояний в щели по подвижности и стимулированных облучениях структурных превращений в халькогенидных стеклбх. Практические результаты и новизна: Полученные результаты позволяют определить основные парметры областей повреждений при облучении полупроводников тяжелыми частицами, оценивать кинетику накопления радиационных дефектов. Может быть использована при применении ионизирующего облучения как технологического приема для управления свойствами полупроводниковых материалов и приборов на их осное.