Тартачник В. П. Радиационные дефекты в полупроводниковых фосфидах А3В5 и А2В5

Объект исследования: Бинарные полупроводники - фосфид галлия, фосфид индия, дифосфид цинка и дифосфид кадмия. Цель исследования: Получение детальной информации о природе дефектных состояний, возникающих при облучении в полупроводниковых фосфидах, определение специфики дефектообразования в анизотропных кристаллах, получение сведений о механизмах деградации и восстановления физических свойств, разработка способов управления этими процессами. Методы исследования и аппаратура: Метод аннигиляции позитронов, НСГУ, оптическое поглощение, фотопроводимость, электро- и фотолюминесценция, Эффект Холла, микротвердость, отжиг. Теоретические результаты и новизна: Расчитаны сечения образования точечных дефектов и областей разупорядочения в фосфиде галлия. Впервые получены пороговые образования радиационных дефектов в СаР, исследованы их свойства. Получены основные характеристики и параметры областей разупорядочения, изучены длинновременные релаксационные процессы в облученных СаР и InР. Практические результаты и новизна: Разработан способ получения низкоомного ZnР2, способ увеличения прозрачности СаР в видимой области спектра, способ ультразвукового восстановления интенсивности свечения фосфидо-галлиевых светодиодов, предложен режим радиационно-термической обработки кристаллов СаР, улучшающий их однородность, сконструировано устройство для радиационной обработки образц. Предмет и степень внедрения: Способ увеличения прозрачности кристаллов фосфида галлия планируется внедрить на заводе Чистых металлов (г.Светловодск), устройство для облучения - в Институте ФХ АН Украины. Сфера (область) использования: Полупроводниковая микро- и оптоэлектроника, квантовая электроника, ядерное легирование полупроводников, ионная имплантация.