Пекар Г. С. Физико-технологические исследования и разработки в отрасли получения монокристаллов широкозонных соединений группы А2В6 и их использование в устройствах когерентной и некогерентной оптоэлектроники

Объект исследования: Монокристаллы полупроводниковых соединений группы А2В6 и структуры на их основе. Цель исследования: Определение природы процессов, которые обуславливают рост и формирование физических свойств больших монокристаллов широкозонных соединений группы II-VI при их получении из газовой фазы, создание и установление механизмов работы новых инжекционных источников и детекторов излучения на основе этих соединений. Методы исследования и аппаратура: Эффект Холла, электропроводимость, фотолюминесценция, электролюминесценция, катодолюминесценция, оптическое поглощение и отражение; аппаратура для выращивания кристаллов, спетрометры, электромагнит,лазеры, электроизмерительные устройства. Теоретические результаты и новизна: Выявлена природа высокотемпературных явлений в монокрасталлах халькогенидов кадминия, предложена и экспериментально проверена модель асоциатов кадмия, выявлены механизмы работы новых инжекционных источников света и детекторов излучения на основе халькогенидов цинка. Практические результаты и новизна: Разработан комплекс новых методов выращиванияиз газовой фазы монокриталлов халькогенидов кадминия и цинка для устройств когерентной оптоэлектроники, разработаны новые инжекционные источники света и детекторы ультрафиолетового излучения. Предмет и степень внедрения: Разработаны методы выращивания монокристаллов используются в полупроводниковой промышленности для получения материалов для лазеров с электронным возбуждением. Сфера (область) использования: Технология полупроводниковых материалов, полупроводниковое приборостроение.