Назаров А. Н. Процессы формирования диэлектрических и приповерхностных полупроводниковых слоев в кремниевых структурах при неравновесных воздействиях

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0593U000356

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-09-1993

Спеціалізована вчена рада

Д 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Системы SiO2-Si, ионная имплантация, плазменно-водородная обработка, неравновесные обработки. Цель исследования: Выяснение природы процессов, происходящих при модификации кремниевых и диэлектричекских слоев с помощью ионной имплантации и плазменно-водородной обработки. Методы исследования и аппаратура: Термоактивационные методы, фотолюминесценция, КРС, ЭПР; спектрометры. Теоретические результаты и новизна: Разработана модкль ВЧ плазменного ускоренного отжига вакансионных днфектов. Практические результаты и новизна: Разработаны новые технологические способы низкотемпературного упорядочения дефектных полупроводниковых структур. Предмет и степень внедрения: Разработанные методы обработки используются в микроэлектронной промышленности. Сфера (область) использования: Технология полупроводниковых приборов и ИС.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах