Семенюк А. К. Электронные свойства многодолинных полупроводников с глубокими центрами радиационного происхождения

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0593U000389

Облікова картка дисертації

0593U000389.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-10-1993

Спеціалізована вчена рада

Д 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Легированные и высокочистые монокристаллы кремния и германия, облученные частицами высоких энергий. Цель исследования: Установление природы радиационных дефектов и их влияния на кинетические эффекты в различных внешних полях. Методы исследования и аппаратура: Эффект Холла, электропроводность, пьезосопротивление, пьезо-Холл-Эффект, ИК-поглощение. Теоретические результаты и новизна: Обнаружено предельное положение уровня Ферми. Установлены новые механизмы тензоэффектов в Si с глубокими центрами. Практические результаты и новизна: Разработаны методы определения параметров и повышения радиационной стойкости материалов и приборов. Предмет и степень внедрения: Методы используются в полупроводниковом матераловедении. Сфера (область) использования: Технология полупроводниковых приборов.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах