Ваксман Ю. Ф. Люминисценция монокристаллов селенида цинка и излучающих структур на их основе

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0593U000570

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

18-06-1993

Спеціалізована вчена рада

Д 068.16.01

Анотація

Объект исследования: Полупроводниковые монокристаллы селенида цинка. Цель исследования: Определение природы центров свичения, механизмов излучаемой рекомбинации и возбуждение люминисценции, а также возможностей контролированного управления составом собственных и добавленных центров в кристаллах селенида цинка и формирвоания на их основе электролюминисцентных источников света. Методы исследования и аппаратура: Спектральные люминисцентные, оптические, фотоэлектрические методы, термоэлектрические методы, эффект Хола, метод Ван-дар-Пау. Ионный имплантатор "Визувий", спектрограф ИСП-51, спектрофотометры СФ-26, "Specord-UV, VIS", комплексы спектральные вычислительные КСВУ-6, КСВУ-23, оптические квантовые генераторы ЛНГ-21, ЛГ-62, ЛГ-70. Теоретические результаты и новизна: Впервые определена структура неэлементарных спектров излучения селенида цинка и установлена природа центров свечения и механизмы излучающей рекомбинации для элементарных полос люминисценции. Расчитан состав собственных и дополнительных дефектов, а также энергетический спект центров люминисценции. Практические результаты и новизна: Разработаны методы управления составом дефектов, которые определяют электрофизические, люминисцентные и оптические свойства кристаллов. Разработана новая методика инверсии типа проводности в кристаллах, которая позволяет формировать электролюминисцентные структуры, излучающиеся в сине-голубой области спектра. Сфера (область) использования: Полупроводниковая оптоэлектроника. Производство светодиодов сине-голубого излучения. Производство фосфоров для видимой области спектра.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах