Индутный И. З. Фотостимулированная диффузия в тонкослойных светочувствительных структурах полупроводник-металл

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0594U000003

Облікова картка дисертації

0594U000003.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-12-1993

Спеціалізована вчена рада

Д 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Тонкослойные структуры на основе халькогенидных полупроводников, и галогенидов. Цель исследования: Изучение фотостимулированных процессов в светочувствительных структурах, разработка высокоразрешающих регистрирующих сред. Методы исследования и аппаратура: Оптическое пропускание, отражение, ИК-спектроскопия, эллипсометрия, электрофизические измерения, масс-спектроскопия. Теоретические результаты и новизна: Установлен механизм низкотемпературной фотостимулированной диффузии в светочувствительных структурах ХСП. Практические результаты и новизна: Разработаны физико-технические основы практических применений высокоразрешающих регистрирующих сред. Предмет и степень внедрения: Неорганические резисты на основе халькогенидов. Сфера (область) использования: Изготовление оптотехнических элементов, запись рельефных голограмм.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах