Сукач Г. А. Радиационная и термическая модификация рекомбинационных свойств полупроводниковых светоизлучающих структур

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0594U000266

Облікова картка дисертації

0594U000266.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

22-09-1994

Спеціалізована вчена рада

Д 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Полупроводниковые светоизлучающие структуры (СИС) на основе многослойных соединений А3В5. Цель исследования: Изучение радиационной и инженерно-термической модификации рекомбинационных свойств и потенциальных барьеров СИС. Методы исследования и аппаратура: Спектральные, кинетические, дифференциальные амплитудные и структурные методы измерений. Теоретические результаты и новизна: Изучены процессы увеличения концентрации центров излучательной рекомбинации при радиационном облучении. Практические результаты и новизна: Разработаны новые способы и приборы для контроля состава вещества, температуры и методы испытаний светодиодов. Предмет и степень внедрения: Светодиоды, лазеры и приборы контроля примесей. Сфера (область) использования: Контроль технологических параметров материалов, приборов.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах