Бережинский Л. И. Спектроскопия молекулярных ионов и элементарных носителей заряда в кристаллах

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0594U000611

Облікова картка дисертації

0594U000611.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-04-1994

Спеціалізована вчена рада

Д 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Молекулярные ионы в щелочно-галоидных и молекулярных кристаллах, неравновесные носители заряда в полупроводниках. Цель исследования: Изучение электронных и колебательных спектров кристаллов и поиск новых методов оптической обработки информации. Методы исследования и аппаратура: Оптическое пропускание, отражение, ИК-спектроскопия, спектроскопия КРС, электрофизические измерения. Теоретические результаты и новизна: Установлена специфика воздействия мм - излучения на межмолекулярное взаимодействие в молекулярных кристаллах. Практические результаты и новизна: Реализованы новые методы записи и разработаны некоторые приборы оптической обработки информации. Предмет и степень внедрения: Модулятор, дефлектор, модулятор добротности СО2-лазера. Сфера (область) использования: Производство оптотехнических элементов обработки информации.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах