Прима Н. А. Энергетический спектр и кинетический свойства электронов в тонких полупроводникковых приповерхностных слоях и пленках

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0594U000683

Облікова картка дисертації

0594U000683.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

28-10-1994

Спеціалізована вчена рада

Д 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Электроны проводимости в тонких полупроводниковых слоях и и пленках. Цель исследования: Исследование энергетического спектра и кинетических явлений. Методы исследования и аппаратура: Теоретические исследования с помощью теории полупроводников. Теоретические результаты и новизна: Разработана теория спинового расщепления спектра и теория кинетических явлений в тонких образцах. Практические результаты и новизна: Разработаны новые типы датчиков температуры и магнитного поля. Сфера (область) использования: Теория полупроводников и полупроводниковых прибооров.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах