Кулиш Н. Р. Нелинейная спектроскопия поглощения в области края фундаментальной полосы полупроводников типа А2В6

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0594U000691

Облікова картка дисертації

0594U000691.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

25-11-1994

Спеціалізована вчена рада

Д 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Моно- и нанокристаллы А2В6. Цель исследования: Изучение энергетической структуры моно- и нанокристаллов А2В6. Методы исследования и аппаратура: Оптические, нелинейно-оптические, фотоэлектрические, термические, гальвано-магнитные. Теоретические результаты и новизна: найден механизм насыщения поглощения в области края фундаментальной полосы полупроводников А2В6. Практические результаты и новизна: Реализован оптический ключ нового типа. Предмет и степень внедрения: Оптический ключ. Сфера (область) использования: Производство оптотехнических элементов обработки информации.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах