Давиденко Н. А. Фотопроводимость аморфных молекулярных полупроводников в области поглощения комплексов с переносом заряда и соединений с внутримолекулярным переносом заряда

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0595U000018

Облікова картка дисертації

0595U000018.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

30-12-1994

Спеціалізована вчена рада

Д 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Фотопроводимость аморфных молекулярных полупроводников. Цель исследования: Исследовать основные физические процессы при фотогенерации носителей тока в области поглощения центров фотогенерации и разработать способы управления фотопроводностью. Методы исследования и аппаратура: Фотоэлектронная и фотоэмиссионная спектроскопия, фотоабсорбция и фотолюминесценция, ЭПР, ЯМР, ТСТ, ТСЛ, ИТЛ, квантовохимический метод ППДП. Теоретические результаты и новизна: Исследованы механизмы фотогенерации и транпорта носителей тока, созданы модели фотогенерации и ракомендации, пространственных распределений. Практические результаты и новизна: Разработан способ увеличения фотопроводимости и создана высокочувствительная регистрирующая голографическая среда. Предмет и степень внедрения: Голографические регистрирующие среды. Сфера (область) использования: Голография, молекулярная электроника.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах