Василенко Н. Д. Объемные неоднородности в эпитаксиальных структурах на основе кремния и соединений А3В5

Объект исследования: Полупроводниковые структуры на основе кремния и соединений А3В5. Цель исследования: Изучение объемных неоднородностей и их влияние на свойства структур, разработка методов диагностики, устанволение закономерностей. Методы исследования и аппаратура: Поляризационно-оптический, металлография, люминесценция, микротвердость, электрические. Теоретические результаты и новизна: Созданы физические модели и методики расчета параметров неоднородностей. Практические результаты и новизна: Выявлены закономерности генезиса и динамики неоднородностей, разработаны новые технологии выращивания криталлов и структур с улучшенными характеристиками и созданы новые методики. Предмет и степень внедрения: Технологии обработки и выращивания структур. Методы контроля объемных неоднородностей. Эффективность внедрения: Экономический эффект составляет в 1984-1900 годах 560 тыс. руб. Сфера (область) использования: Материаловедение, полупроводниковая электроника, экология.