Ильченко В. В. Исследование физических свойств диффузионных контактных структур силицид металла - полупроводник

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0595U000207

Облікова картка дисертації

0595U000207.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-05-1995

Спеціалізована вчена рада

Д 01.01.17

Анотація

Объект исследования: Контактные структуры на основе силицидов металлов и полупроводников. Цель исследования: Изучение взаимосвязи между образование силицида металла и физическими параметрами полупроводникового прибора. Методы исследования и аппаратура: Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики, рентгеновский микроанализ, Оже-электронная спектроскопия. Теоретические результаты и новизна: Построена концепция формирования электрофизических характеристик структур силицид металла - полупроводник. Практические результаты и новизна: Результаты могут быть использованы при прпоектирвоании радиацонностойких и стойких к импульсным перегрузкам приборов с баьером Шоттки. Предмет и степень внедрения: Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки в ИС и дискретном виде. Эффективность внедрения: Повышение процента выхода годных приборов и ИС. Сфера (область) использования: Полупроводниковая электроника.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах