Давидюк Г. Е. Электрические и оптические свойства монокристаллов сульфида кадмия с дефектами радиационного происхождения

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0595U000289

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-09-1995

Спеціалізована вчена рада

Д 50.07.01

Анотація

Объект исследования: Монокристаллы сульфида кадмия. Цель исследования: Определение природы радиационных дефектов и механизмов их образования. Методы исследования и аппаратура: Электрические, фотоэлектрические, оптические, гальваномагнитные, магнитные. Теоретические результаты и новизна: Определение природы радиационных повреждений и механизмов дефектообразования при различных энергиях ядерных частиц. Практические результаты и новизна: Радиационная стойкость. Предмет и степень внедрения: радиационно стойкий материал. Эффективность внедрения: Способ получения однородных радиационно стойких материалов, для изготовления радиационно стойких приборов. Сфера (область) использования: Изготовление дозиметров, детекторов ионизующего излучения.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах