Прокопенко И. В. Деформационные поля в полупроводниковых монокристаллах и эпитаксиальных системах при динамическом рассеянии рентгеновских лучей

Объект исследования: Полупроводниковые монокристаллы и эпитаксиальные системы. Цель исследования: Определение параметров структурного совершенства. Методы исследования и аппаратура: Измерение параметров кривых дифракционного отражения рентгеновских лучей, УРС-50И, ДРОН-3М, УРС-2,0. Теоретические результаты и новизна: Теоретический анализ аномального поведения параметров кривой дифракционного отражения - впервые. Практические результаты и новизна: Разработаны методы построения картограмм упругих дисторсий атомных плоскостей и плотности дефектов в полупроводниковых монокристаллах при анализе фриделевских пар отражения рентгеновских лучей - впервые. Предмет и степень внедрения: Структурные изменения в полупроводниковом материале при технологических обработках - выборочный контроль. Эффективность внедрения: Установлено влияние технологических обработок на электрофизические параметры СВЧ-транзисторов и диодов в зависимости от плотности дефектов. Сфера (область) использования: Контроль технологических параметров материалов и приборов.