Варшава С. С. Специфика свойств полупроводниковых микрокристаллов и создание датчиков на их основе

Объект исследования: Полупроводниковые микрокристаллы. Цель исследования: Установить общие закономерности процессов роста микрокристаллов, изучение специфики свойств, целенаправленного их изменения для создания датчиков физических праметров. Методы исследования и аппаратура: Метод ХТР выращивания кристаллов, лазерное облучение и ионная имплантация, рентгеновский и фотолюминисцентный анализ, микротвердость. Теоретические результаты и новизна: Впервые в кристаллах данного типа выявлены низкотемпературные эффекты; эффект Кондо /Те, Те-Sе/, изоструктурный фазовый переход /Pb Sn Te, прыжковая проводность, отрицательное магнитоспротивление, повышенная чувствительность к деформации/. Практические результаты и новизна: Разработаны новые типы датчиков физических параметров и принципы их построения. Разработки защищены 30 а.с. Внедрены экспериментальные образцы датчиков температуры, деформации, скорости потока. Предмет и степень внедрения: Отработка технологических процессов, уменьшение брака, улучшение экологического состояния. Сфера (область) использования: Криогеника, энергетика, химическая промышленность, машиностроение, радиоэлектроника.