Алтайский Ю. М. Физико-технические основы создания полупроводниковых приборов и элементов оптоэлектроники на основе кубического карбида кремния

Объект исследования: Кубический карбид кремния. Цель исследования: Разработка новых типов полупроводниковых приборов и элементов оптоэлектроники на базе кубического карбида кремния. Методы исследования и аппаратура: Комплексные методики исследования фотопроводников при высоких уровнях освещения. Теоретические результаты и новизна: Модель релаксации экситонодырочной плазмы и теория инжекционного фотоэффекта. Практические результаты и новизна: Детально исследована электолюминисценция высокой яркости, изготволены и внедрены высокоэффективные светодиаоды с высокой яркостью. Предмет и степень внедрения: Внедрение светодиодов излучающихэкранов, фотоприемников на отраслевых предприятиях. Эффективность внедрения: Получен экономический эффект 3 млн. руб. в ценах 1980 г. Сфера (область) использования: Оптика, метрология, радиоэлектроника, медицина, космонавтика.