Цмоць В. М. Комплексное исследование примесно-деыфектных состояний в ковалентных состояний в полупроводниках

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0596U000234

Облікова картка дисертації

0596U000234.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

19-04-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 07.01.06

Анотація

Объект исследования: Ковалентные полупроводниковые материалы. Цель исследования: Влияние примесно-дефектных состояний на электрофизические и магнитные свойства полупроводниковых материалов. Методы исследования и аппаратура: Измерение магнитной восприимчивости с применением других методик. Теоретические результаты и новизна: Доказано решающий вклад дефектов структуры на магнитную восприимчивость кристаллической решетки. Практические результаты и новизна: Предложена концепция строения ДА-комплексов. Предложен новый метод изготовления радиационно-стойких диодов. Предмет и степень внедрения: Радиационно-стойкие диоды. Эффективность внедрения: Упрощение технологии производства. Сфера (область) использования: Полупроводниковое материаловедение, слабомагнитные материалы.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах