Кособуцкий П. С. Физические основы радиационной модификации оптических свойств широкозонных материалов электронной техники

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0596U000401

Облікова картка дисертації

0596U000401.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

11-09-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 04.04.08

Анотація

Объект исследования: Полупроводники и диэлектрики. Цель исследования: Влияние радиационного и лазерного облучения на характер формирования оптических спектров. Методы исследования и аппаратура: Спектроскопия излучения, отражения, рассеяния, компьютерное моделирование. Практические результаты и новизна: Методы контроля параметров поверхностных слоев, фотоупругий модулятор света. Предмет и степень внедрения: Планируется внедрить в учебный процесс и в дальнейшие научные исследования. Эффективность внедрения: Внедрение прланируется. Сфера (область) использования: Физика твердого тела.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах