Кузьма М. . Диффузные модели лазерного отжига полупроводниковых и металлических твердых растворов

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0596U000541

Облікова картка дисертації

0596U000541.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

03-04-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 04.04.08

Анотація

Объект исследования: Твердые растворы CdHgTe и Fe-C. Цель исследования: Комплексное описание процессов диффузии под действием лазерного отжига полупроводниковых и металлических тв. растворов. Методы исследования и аппаратура: Численное моделирование. реньгеновский микроанализ, эффект Холла, фотоэлектрические измерения. Теоретические результаты и новизна: Получены прострвнственно-временные распределения концентраций ртути в CdHgTe и предусмотрен эффект сегрегации ртути. Практические результаты и новизна: Методом лазерного отжига без плавления получены p-n гетеропереходы с высокой фоточувствительностью. Предмет и степень внедрения: Получены лабораторные образцы ффоточувствительных линеек на базе CdHgTe. Эффективность внедрения: Модернизация технологий полупроводников. Сфера (область) использования: Инфракрасная оптоэлектроника.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах