Болеста И. М. Электронная структура и оптические спектры примесей в галоидах типа А2ВХ4 и ВХ2

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0596U000583

Облікова картка дисертації

0596U000583.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

02-10-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 04.04.08

Анотація

Объект исследования: Легированные и интеркалированные кристаллы типа А2ВХ4, СоI2, структуры типа Ме-СоI2/Ме=АО, Аи, Си/. Цель исследования: Изучение электронной структуры локальных центров и структурных изменений, реализуемых в кристаллах. Методы исследования и аппаратура: Оптико-люминесцентные, структурные, самосогласованные расчеты /метод ММО ЛКАО/. Теоретические результаты и новизна: Природа локальных центров, спектроскопия фазовых переходов и превращений в кристаллах. Практические результаты и новизна: разработка методик получения новых материалов и изучения структурных превращений. Предмет и степень внедрения: Планируется внедрение в учебный процесс и последующие научные исследования. Сфера (область) использования: Электронная структура и оптические свойства твердых тел.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах