Тетеркин В. В. Зонные и дефектные состояния в узкощелевых полупроводниках и структурах на их основе

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0596U000745

Облікова картка дисертації

0596U000745.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-11-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 50.07.01

Анотація

Объект исследования: Полупроводниковые кристаллы, гетеропереходы, сверхрешетки. Цель исследования: Определение параметров зонного спектра и состояний дефектов. Методы исследования и аппаратура: Оптическое пропускание, эффект Фарадея, гальваномагнитные эффекты, рентгеновские спектры, оже-спектры, ВАХ и ВФХ. Теоретические результаты и новизна: Определены параметры зонного спектра, положение уровней дефектов, механизмы токопрохождения, тип сверхрешеток - впервые. Практические результаты и новизна: Изготовлены фоточувствительные в ИК диапазоне спектра структуры на основе сверхрешеток - впервые. Предмет и степень внедрения: Многоэлементные инфракрасные фотоприемники - изготовление и контроль характеристик. Эффективность внедрения: Оптимизация параметров инфракрасных фоточувствительных структур. Сфера (область) использования: Оптоэлектроника.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах