Камуз А. М. Лазерностимулированные изменения рефракции полупроводников типа АIIIВV и оптические волноводы на их основе

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0597U000072

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

31-01-1997

Спеціалізована вчена рада

Д 50.07.01

Анотація

Объект исследования: Полупроводниковые кристаллы, канальные волноводы, монолитные интегрально-оптические схемы, необратимая модификация рефракции, нелинейные решетки. Цель исследования: Исследование механизмов необратимых и обратимых изменений рефракции полупроводников. Методы исследования и аппаратура: Оптическая спектроскопия, электронное микрозондирование, интерферометрия, голография, Оже-электронная спектроскопия, оптическая микроскопия, ВАХ. Теоретические результаты и новизна: Механизм необратимой гигантской модификации рефракции полупроводников, механизмы оптической нелинейности монокристаллов NаCl и CdS, самоискривление света, впервые. Практические результаты и новизна: Изготовлены оптические элементы интегральной оптики с помощью необратимой гигантской модификации рефракции - впервые. Предмет и степень внедрения: Монолитные интегрально-оптические схемы - изготовление и контроль характеристик. Эффективность внедрения: Оптимизация параметров монолитных интегрально-оптических схем. Сфера (область) использования: Оптоэлектроника.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах