Маркевич И. . Подвижные дефекты как фактор нестабильности параметров полупроводников А2 В6

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0597U000118

Облікова картка дисертації

0597U000118.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

28-02-1997

Спеціалізована вчена рада

Д 50.07.01

Анотація

Объект исследования: Кристаллы полупроводников А2 В6. Цель исследования: Выяснение причин нестабильности параметров. Методы исследования и аппаратура: Измерения электрических, фотоэлектрических, люминесцентных характеристик и спектров ЭПР; СДЛ-2, КСВУ-23. Теоретические результаты и новизна: Изучены процессы, приводящие к нестабильности параметров, установлены их механизмы. Практические результаты и новизна: Разработаны методы контроля качествафотоэлектрических приборов, новый методв выращивания кристаллов халькогенидов кадмия. Сфера (область) использования: Контроль параметров материалов и приборов.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах