Стриха М. . Оптические и рекомбинационные переходы в полупроводниках с дефектами, деформациями и неоднородностями состава

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0597U000379

Облікова картка дисертації

0597U000379.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

31-10-1997

Спеціалізована вчена рада

Д 50.07.01

Анотація

Объект исследования: Оптические и рекомбинационные переходы в полупроводниках. Цель исследования: Построение последовательной теории квантовомеханических процессов в реальных полупроводниковых кристаллах. Методы исследования и аппаратура: Кр-метод, метод эффективной массы, метод функции Грина. Теоретические результаты и новизна: Построена теория оптических и рекомбинационных переходов в реальных полупроводниках. Практические результаты и новизна: Предложены методы идентификации локальных напряжений и определения деформационных потенциалов, способы управления рекомбинационными параметрами.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах