Дугаев В. К. Корреляции и примеси в узкозонных полупроводниках и низкомерных структурах

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0597U001011

Облікова картка дисертації

0597U001011.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-11-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 07.01.06

Анотація

Объект исследования: Узкозонные полупроводники типа А4В6, кавантовые ямы, низкоразмерные системы. Цель исследования: Определение роли электронных корреляций и примесей в полупроводниках и низкоразмерных структурах. Методы исследования и аппаратура: Методы теоретической физики, компьютерные расчеты. Теоретические результаты и новизна: Получены новые результаты в теории узкозонных полупроводников, двумерных систем. Практические результаты и новизна: Результаты полезны для создания новых ИК-фотоприемников. Предмет и степень внедрения: метод оптимизации параметров. Эффективность внедрения: дает возможность создания новых ИК приборов. Сфера (область) использования: полупроводниковое материаловедение.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах