Ширан Н. В. Радиационно-стимулированные процессы в диэлектрических преобразователях ионизирующего излучения

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0597U001082

Облікова картка дисертації

0597U001082.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

25-06-1997

Спеціалізована вчена рада

Д 02.11.01

Анотація

Объект исследования: Диэлектрические неорганические монокристаллы А1ВVII и АВХ3. Цель исследования: Разработка научных основ радиационно-стимулированных процессов в диэлекрических детекорах и преобразователях ионизирующего излучения. Методы исследования и аппаратура: Спектрально-кинетические с наносекундным разрешением, абсорбционная лазерная калориметрия, термолюминесцентная дозиметрия. Теоретические результаты и новизна: Разработаны механизмы быстрых сцинтилляций и радиационно наведенных потерь в сцинтилляторах и материалах для ИК-оптики. Практические результаты и новизна: Получены новые эффективные термолюминисцентные дозиметры на основе щелочногалоидных кристаллов и перовскитов. Сфера (область) использования: Атомная энергетика, геофизика, фундаментальные исследования, дозиметрия.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах