Голованов В. В. Характеризация полупроводниковых поверхностно-активных веществ SnxWeOz, CdxS(Se)1-x, In2O3

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0598U000066

Облікова картка дисертації

0598U000066.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-02-1998

Спеціалізована вчена рада

Д 41.051.01

Одеський національний університет імені І.І.Мечникова

Анотація

Объект исследования: Поликристаллические пленки и их поверхности. Цель исследования: Разработка модели, позволяющей прогнозировать сенсорные свойства полупроводников. Методы исследования и аппаратура: РФС-массспектроскопия, ИК-спектроскопия, Мэсбауэровская спектроскопия, Роман спектроскопия. Теоретические результаты и новизна: Установлены атомомистические механизмы хемосорбции на поверхности веществ. Практические результаты и новизна: Созданы новые газовые сенсоры для регистрации СО. Предмет и степень внедрения: Планируется внедрение. Сфера (область) использования: Газовая сенсорика, приборостроение.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах