Райчев О. Э. Кинетические явления в низкоразмерных электронных системах с туннельной связью

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0598U000145

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-04-1998

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.02

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

Объект исследования: Транспорт электронов в гетероструктурах с туннельносвязанными низкоразмерными слоями. Цель исследования: Разработка последовательной кинетической теории, объяснение имеющихся экспериментов в этой области, поиск новых эффектов. Методы исследования и аппаратура: Метод эффективной массы, квантовые кинетические уравнения, метод функций Грина, метод линейного отклика. Теоретические результаты и новизна: Построена теория туннелирования и продольного транспорта электронов, предложено несколько новых эффектов. Практические результаты и новизна: Объяснение имеющихся и рекомендации относительно новых экспериментов, методика определения влияния туннелирования на сопротивление передачи межслоевого "увлечения". Сфера (область) использования: Дальнейшее развитие теории и планирование новых экспериментов.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах