Власенко О. І. Фотоелектронні процеси в твердих розчинах на основі телуридів кадмію, ртуті в умовах природної і стимульованої трансформації дефектної системи

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0599U000084

Облікова картка дисертації

0599U000084.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-04-1999

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.02

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

Тверді розчини CdHgTe. Визначити домінуючі фотоелектронні процеси в умовах природного і стимульованого дефектоутворення. Виміри електричних, оптичних, фотоелектричних і структурних параметрів. ИКС-21, МДР-23, JSM-820, JCXA-733, CAMEBAX, BS-300, 09ИОС-2. Вперше встановлено домінуючі механізми впливу зовнішніх дефектоутворюючих полів на електронні і фотоелектронні властивості. Впровадження доцільно в інфрачервоному матеріалознавстві і приладобудуванні.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах