Гололобов Ю. П. Фото- та термоіндуковані явища у потрійних халькогенідних сегнетонавіпровідниках з неспівмірними фазами.

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0599U000446

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-10-1999

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.02

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

Сегнетоелектрики-напівпровідники Ag3AsS3, TlInS2, TlGaSe2. Дослідження процесів, що виникають під дією електромагнітного випромінювання та швидкої або періодичної зміни температури. Виміри акустичних, оптичних, діелектричних та структурних параметрів. ДРОН 4-07, NTA - 1024, АФ - 15. Вперше встановлено фізичні механізми низки нових фото- та термоіндукованих процесів у досліджених кристалах. Впровадження доцільно у напівпровідниковому матеріалознавстві та приладобудуванні.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах