Дисертаційна робота присвячена встановленню впливу опромінення електронами з E = 2 МеВ, ? – квантами 137Cs, 60Co, нейтронами реактора, на характеристики гомоперехідних GaP, GaAsP світлодіодів, а також світлодіодів із квантовими ямами InGaN/GaN.
Перший розділ містить аналіз літературних джерел, в яких напрямки досліджень близькі до теми дисертації. Розглянуті властивості вихідних гомоперехідних світлодіодних структур GaP та GaAsP та гетороперехідних InGaN із квантовими ямами. Наведені результати аналізу дії відпалу на основні параметри і характеристики опромінених зразків. Описано специфіку взаємодії ультразвукової хвилі із вихідними порушенями і радіаційними дефектами кристалічної гратки, опрацьовано і узагальнено інформацію про досягнення в області наукового пошуку, сучасних тонких технологій, особлива увага звернута на застосування інжєкційних джерел свічення і їхню радіаційну стійкість.
У другому розділі висвітлена методика проведення експерименту – приготування зразків до опромінення, описана конструкція і принцип дії вимірювальних пристроїв, пристосувань для опромінення електронами/
Третій розділ містить результати досліджень деградаційно-відновних явищ, властивих вихідним та опроміненими електронами світлодіодів GaP. Проаналізовано вплив радіаційних дефектів на спектри випромінювання СД.
У четвертому розділі розглянуто особливості вольт-амперних характеристик світлодіодів, одержаних на основі твердих розчинів GaP-GaAs. Наведено результати досліджень впливу електронного опромінення (Е = 2 МеВ, Ф = 3•10^14 ? 2,6 • 10^см^-2) на основні електрофізичні параметри діодів GaAs_1-xP_x (х = 0,85 – жовті, х = 0,45 – помаранчеві). Виявлено зростання диференційного опору, послідовного опору бази та бар’єрного потенціалу. Проаналізовано процеси відновлення досліджуваних зразків при ізохронному відпалі, обговорюються механізми деградаційно-відновних явищ.
П`ятий розділ містить результати досліджень оптичних характеристики вихідних світлодіодів GaAs_1-хP_х та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, Ф = 10^15?10^16 см^-2. Проведено оцінку ширини забороненої зони твердого розчину GaAs_1-хP_х для х = 0,45. Розраховано коефіцієнти пошкодження часу життя неосновних носіїв заряду для опромінених світлодіодів GaAsP та проаналізовано наслідки впливу радіації на експлуатаційний параметр Т_1, який визначає термостійкість роботи діодів.
У шостому розділі досліджувались спектри випромінювання білих світлодіодів (СД) InGaN/GaN, основні складові яких – лінія синього СД з ?_max = 443 нм та широка роздвоєна смуга вторинного випромінювання люмінофора AIT-YAG (Ce) ? = 500?650 нм. У розділі показано, що немонотонна залежність інтенсивності свічення від температури зумовлена посиленням ефекту екранування внутрішніх полів вільними носіями, а також тепловим гасінням у результаті підвищення щільності фононного газу.
У сьомому розділі показано, що у СД InGaN, при T ? 180 K на ВАХ виникають області від`ємного дифиренційного опору. Встановлено, що пробійні ділянки на ВАХ – результат міжбар`єрного тунелювання носіїв.
