Залевський Д. В. Властивості матеріалів для резистивної пам’яті з довільним доступом

Дисертація присвячена дослідженню матеріалів для робочого шару комірок резистивної пам’яті з довільним доступом (RRAM), виконаного методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу. RRAM має перевагу у вигляді доступу до окремої комірки, але для масштабного впровадження потрібно вирішити низку технологічних завдань. Досліджено матеріали, зокрема: • SiₓGe₁₋ₓ з дислокаціями, заповненими сріблом: трансформація таких плівок значно змінює їх електронні властивості, дозволяючи реалізувати перемикання між станами «встановити» і «скинути». Напруга перемикання становить 0,2 еВ. • HfOₓ із кисневими вакансіями, заповненими сріблом: введення вакансій різко знижує опір плівки. • ZnO з кисневими вакансійними нитками: збільшення густини вакансій формує внутрішнє електричне поле, що підсилює провідний ефект. • Sb₂GеₓTe₃₋ₓ (x=0,1,2): додавання Ge змінює ширину забороненої зони, впливаючи на провідні властивості. Інженерія дефектів забороненої зони (дивакансії, нанодроти) є основним механізмом перемикання. Робота поглиблює розуміння таких процесів, відкриваючи нові можливості для RRAM.