Курак В. В. Гетероструктури AlxGa1-xAs-GaAs для ФЕП слабоконцентрованого сонячного випромінювання

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U000132

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки

24-12-1999

Спеціалізована вчена рада

Д 67.052.03

Анотація

Фотоелектричні перетворювачі сонячного випромінювання. Розробка методики виготовлення гетероструктур AlхGa1-хAs-GaAs і фотоперетворювачів слабоконцентрованого випромінювання на їх основі, які не використовують системи примусового тепловідводу. Дослідження проводились з використанням методів мікроскопії та аналізу вольтамперних характеристик. Запропоновано конструкції, проведено розрахунок та досліджено параметри неохолоджуваних фотоперетворювачів в залежності від ступеня концентрації сонячного випромінювання. Розроблено методику виготовлення неохолоджуваних високовольтних фотоперетворювачів, вказано на шляхи покращення їх характеристик. Сферою використання: нетрадиційна енергетика.

Схожі дисертації