Бурий О. А. Особливості кінетичних ефектів, електрон-фононної взаємодії та псевдоефекту Яна-Теллера у анізотропних кристалах.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U000209

Облікова картка дисертації

0400U000209.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-12-1999

Спеціалізована вчена рада

К 61.051.01

Анотація

Дисертацію присвячено дослідженню властивостей напівпровідникових кристалів зі складним зонним спектром. Детально розроблено та комп'ютеризовано алгоритми розрахунку величин, що описують кінетичні властивості кристалів, розглянуто вплив анізотропії та непараболічності енерегетичного спектру носіїв струму на кінетичні властивості. За допомогою методів квантової теорії поля розраховано перенормування електронного спектру електрон-фононною взаємодією для випадку шаруватих кристалів. Розглянуто псевдоефект Яна-Теллера у шаруватих кристалах просторової групи D6h4, визначено можливі зміщення іонів кристалічної гратки та їх вплив на зонний спектр. На підставі результатів досліджень зроблено висновок про можливість зміни властивостей шаруватих кристалів шляхом їх інтеркаляції або гідростатичного стиснення.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах