Кедюлич В. М. Анізотропія діелектричних властивостей, р,Т,Е-діаграма та критична поведінка кристалів Sn2P2S6 при високих тисках

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U000336

Облікова картка дисертації

0400U000336.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-12-1999

Спеціалізована вчена рада

К 61.051.01

Анотація

Сегнетоелектрик-напівпровідник Sn2P2S6 .Комплексні дослідження впливу температури, тиску та електричного поля на діелектричні властивості Sn2P2S6 в різних кристалографічних напрямках. Експериментальні дослідження діелектричних параметрів на базі автоматизованої установки та аналіз отриманих результатів. Встановлено вид та особливості вказівних поверхонь діелектричної проникності і тангенса кута діелектричних втрат. Побудовано р,Т,Е-діаграму кристала Sn2P2S6 та описані її особливості. Проведено аналіз поведінки костанти Кюрі-Вейса вздовж фазової р,Т-діаграми і визначено критичний індекс діелектричної проникності в околі точки Ліфшиця. Результати можуть бути використані в фізиці сегнетоелектриків.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах