Панков Ю. М. П'єзоопір у тонких шарах і мікрокристалах кремнію та германію р-типу провідності і сенсори на їх основі

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U000713

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.01 - Фізика приладів, елементів і систем

25-02-2000

Спеціалізована вчена рада

Д 35.052.14

Національний університет "Львівська політехніка"

Анотація

Дисертацію присвячено комплексному експериментальному і теоретичному вивченню п'єзоопору в Si та Ge р-типу провідності для розробки на цій основі сенсорів механічних величин. Встановлені теоретико-груповими правилами відбору дозволені фізичні моделі п'єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Досліджено п'єзоопір в широкому діапазоні різнополярних деформацій -1,2 %...+1 % і визначені деформаційні залежності їх констант п'єзо- та еластоопору. Встановлено, що у деформованих Si та Ge як важкі, такі легкі дірки характеризуються наборами ефективних мас, які залежать від енергії та деформації. Визначено взаємозв'язок п'єзоопору та структури в тонких шарах Si та Ge. Істотного покращання характеристик сенсорів досягнуто завдяки використанню лазерно-рекристалізованих КНІ-структур.

Схожі дисертації