Федів В. І. Магнітооптичні ефекти в напівмагнітних напівпровідниках на основі телуриду ртуті

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U000930

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-03-2000

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Об'єкт дослідження: напівмагнітні напівпровідники (НМН) на основі телуриду ртуті. Мета дослідження: визначення параметрів зонної структури, характерристик спінової обмінної взаємодії за участю електронної та магнітної підсистем і розширення можливостей використання в оптоелектронних пристроях НМН на основі телуриду ртуті. Методи дослідження та апаратура: магнітооптичні дослідження, монохроматори, фотоприймачі. Теоретичні і практичні результати, новизна: Виявлені аномалії спектральної та магнітопольової залежностей кута фарадеївського обертання в НМН Hg1-xMnxTe, Zn1-x-yHgxMnyTe та Cd1-x-yHgxMnyTe подібні до тих, що спостерігаються в НМН типу CdMnTe. Встановлена закономірність температурної залежності кута фарадеївського обертання і визначена температура фазового переходу парамагнетик - спінове скло для матеріалів Hg1-xMnxTe, Zn1-x-yHgxMnyTe. Оцінено величини обмінних констант і обмінного інтегралу для нового матеріалу Zn1-x-yHgxMnyTe. Вперше в досліджуваних матеріалах спостерігався гігантський ефект Фог та. Виявлено, що зниження температури до 80 К призводить до різкого збільшення фогтівського фазового зсуву в кристалах Cd0,75Mn0,25Te. Встановлено, що величина фогтівського фазового зсуву для досліджуваних кристалів прямо пропорційно залежить від квадрату намагніченості в інтервалі температур 80-300К. Сфера (галузь) використання: оптоелектроніка.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах