РУЩАНСЬКИЙ К. З. СПЕКТРИ ЕЛЕМЕНТАРНИХ ЗБУДЖЕНЬ ГРАТКИ КРИСТАЛІВ ГРУПИ In-Se, In-Te

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U001226

Облікова картка дисертації

0400U001226.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-04-2000

Спеціалізована вчена рада

К 61.051.01

Анотація

Динамічні властивості кристалів In4Se3, In4Te3. Розрахунок та аналіз фононних спектрів споріднених кристалів In4Se3, In4Te3, аналіз спорідненості структур InSe та In4Se3. Методом дослідження є моделювання. Вперше розраховано коливні спектри кристалів In4Se3, In4Te3 у моделі аксіально-симетричних сил. Встановлено достатність розробленої моделі. Запропоновано спосіб розрахунку фононного спектра складного кристала на основі рентгеноструктурної інформації, отриманою на деформованому кристалі. Встановлено спорідненість структур beta-InSe та In4Se3. Область застосування - напівпровідникове матеріалознавство.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах