Добровольській Ю. Г. Розробка кремнієвих фотодіодів підвищеної надійності

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U001704

Облікова картка дисертації

0400U001704.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.01 - Твердотільна електроніка

01-06-2000

Спеціалізована вчена рада

К 76.051.06

Анотація

Об'єкт дослідження - фотодіоди на основі кремнію Мета дослідження- аналіз факторів, впливаючих на темновий струм p-i-n фотодіо- дів з високоомного кремнію і радіаційну стій- кість фодіодів з кремнієв. епітакс. структ., і розробка кремнієв. фотодіодів підв. надійн. Методи дослідження-фіз. модел. експер.досл Новизна-розроблено новий підхід до констру- ювання кремнієвих p-i-n фотодіодів та радіа- ційно-стійких фотодіодів підв. надійності. Ступінь упровадження - нові конструкції впроваджено у виробництво. Сфера викорис- тання - оптоелектронне приладобудування

Читати повністю

Схожі дисертації

0424U000066

Гайдучок Володимир Григорович

Формування тонкоплівкових структур на полярних гранях кристалів LiNbO3

0421U103991

Галочкін Олександр Вікторович

Розробка радіаційно-стійких фотоструктур на основі напівпровідників А2В6 та А23В36

0421U103665

Воронько Андрій Олександрович

Гетероструктури на основі твердих розчинів А3В5 для волоконно-оптичних систем передачі інформації.

0421U103580

Королевич Любомир Миколайович

Обґрунтування вибору діелектрика та дослідження плівок діоксиду церію для МДН-структур

0421U103444

Пристай Тарас Віталійович

Модифікація властивостей холестеричних рідких кристалів нанодомішками для використання в оптичних сенсорах