Горбенко В. І. Дослідження змін властивостей приповерхневих шарів фосфіду індію під дією атомів водню теплових енергій.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U001918

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

22-06-2000

Спеціалізована вчена рада

К 17.051.04

Анотація

Дисертацію присвячено вивченню модифікації складу і властивостей приповерхневих шарів напівпровідникового матеріалу та явищ у складній гетерогенній системі. Розглянута система, газова фаза якої утворюється під дією розряду високої частоти у суміші молекул водню та води. Встановлено, що зміни у складі фосфіду індію можуть розвиватися у двох напрямках: утворення на поверхні металевого шару індію та збагачення приповерхневих шарів киснем. Напрямок розвитку залежить від співвідношення молекул водню та води у газовій фазі. З'ясовано, що взаємодія атомарного водню з атомами напівпровідника стимулює сублімацію молекул Р2 і підсилює дифузію атомів кисню в приповерхневих шарах. Встановлено, що електрофізичні характеристики металевого шару індію є омічними. Розроблено методики до методу пошуку екстремуму функціоналу термодинамічної функції, що дозволили застосувати його до моделювання процесів в складній гетерогенній системі з підвищеним вмістом радикалів.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах