Ткаченко С. А. Роль морфологiї фронту кристалiзацiї в процесах вирощування монокристалiв корунду

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U002470

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-09-2000

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

Об'єкт дослiдження: монокристали корунду - Al2O3. Мета дослiдження: комплексне дослiдження впливу морфологiї фронту на досконалiсть кристалiв корунду, розробка технологiї вирощування досконалих кристалiв методом Степанова. Методи дослiдження та апаратура: рентгеноструктурний аналiз, оптична мiкроскопiя, трьохкристальний рентген дифрактометр, оптичний мiкроскоп МIМ - 10. Теоретичнi та практичнi результати, новизна. Показано, що фронт кристалiзацiї корунду при вирощуваннi з розплаву завжди має осередкову структуру. Встановлено, що основна причина газових включень зумовлена змiною морфологiї фронту з осередкової на скелетну. Розробленi технологiчнi рiшення вирощування оптично досконалих профiльованих кристалiв корунду. Сферою використання є фiзика твердого тiла, матерiалознавство, приладобудування, квантова електронiка, медицина.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах